[发明专利]一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用无效
| 申请号： | 201310354637.6 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103441065A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 云峰;田振寰;王宏;王越;黄亚平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造技术领域，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，退火后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。本发明方法操作简单，改善了大电流大功率器件的热效应，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 al 组分 algan 材料 欧姆 接触 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，在200～400℃下，在N2气氛围下退火3～5min后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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