[发明专利]一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310351426.7 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN103436963A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 霍晓青;郑立梅;王军军;张锐;王锐;桑士晶;曹文武;杨彬 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00;C30B33/02;H01L41/22
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法,它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3,其中0.4
搜索关键词: 一种 机电 耦合 性能 掺杂 铌酸钾钠无铅 压电 制备 方法
【主权项】:
一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法,其特征在于高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1‑xNax)(Nb1‑yTay)O3,其中0.4
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