[发明专利]高强耐温变的压接二极管有效
| 申请号： | 201310341575.5 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103579374B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | R.斯皮茨;A.戈尔拉奇;T.克努普弗 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梁冰;杨国治 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压接二极管，其具有通过一连接层在一底座和一顶部金属线之间进行固定的半导体芯片。所述连接层至少在所述芯片正面上相对于所述芯片外缘环围地退缩。在所述半导体芯片的无连接层的区域上具有一环围的、绝缘的第一塑料层。此外，设置一完全环围的、绝缘的第二塑料层，其将所述第一塑料层的径向在内的端部区域进行搭接。 | ||
| 搜索关键词： | 塑料层 环围 半导体芯片 二极管 连接层 压接 绝缘 端部区域 芯片外缘 芯片正面 固定的 金属线 无连接 搭接 耐温 底座 退缩 | ||
【主权项】：
1.压接二极管，具有通过一连接层在一底座和一顶部金属线之间进行固定的半导体芯片，其中，所述连接层至少在芯片正面相对于芯片外缘环围地退缩，并且在所述半导体芯片的无连接层的区域上设有一环围的绝缘的第一塑料层，其特征在于，设有一完全环围的绝缘的第二塑料层（11），所述第二塑料层搭接所述第一塑料层（10）的径向地位于内部的端部区域。
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