[发明专利]一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法有效
| 申请号： | 201310340596.5 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104347443B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;姚振海 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法，用于晶圆光刻机台，步骤是1，制作套刻标准片，标准片上具有多个对位点；2，标准片处理前做一次对位，取得第一次对位数据；3，标准片进入需要排查的机台做晶圆套刻处理，记录晶圆缺口处相对机台的位置；4，待排查机台处理完的标准片再次做对位，取得第二次对位数据；5，将两次对位数据对比，差值＞0.03/um即视为晶圆水平方向局部突变。本发明测试精确、速度快、准确度高、无消耗、无需产品片的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆套刻 水平 方向 突变 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法，用于晶圆光刻机台，其特征是：包括以下步骤，步骤1，制作套刻标准片，标准片上具有多个对位点；步骤2，标准片处理前做一次对位，取得第一次对位数据；步骤3，标准片进入需要排查的机台做晶圆套刻处理，记录晶圆缺口处相对机台的位置；步骤4，标准片经晶圆套刻处理后，再次做对位，取得第二次对位数据；步骤5，将两次对位数据对比，差值＞0.03/um即视为晶圆水平方向局部突变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
