[发明专利]修复金属互连层工艺中等离子体损伤的方法无效
| 申请号： | 201310339274.9 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103426818A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 荆泉;任昱;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种修复金属互连层工艺中等离子体损伤的方法，应用于后段金属互连层的制备工艺中顶层钝化膜沉积工艺后形成的半导体结构上，所述方法包括：采用光刻工艺于所述半导体结构的表面制备具有工艺图案的光阻；继续以所述光阻为掩膜对所述半导体结构进行刻蚀后，采用含氢和氮的混合干法刻蚀气体去除所述光阻层，以对所述半导体结构中等离子体损伤进行修复。本发明仅通过一步的刻蚀步骤就可以同时实现干法去胶和修复等离子体损伤两个工艺效果。与和传统的工艺相比，节省了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 金属 互连 工艺 等离子体 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种修复金属互连层工艺中等离子体损伤的方法，应用于后段金属互连层的制备工艺中顶层钝化膜沉积工艺后形成的半导体结构上，其特征在于，所述方法包括：采用光刻工艺于所述半导体结构的表面制备具有工艺图案的光阻；继续以所述光阻为掩膜对所述半导体结构进行刻蚀后，采用含氢和氮的混合干法刻蚀气体去除所述光阻层，以对所述半导体结构中等离子体损伤进行修复。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
