[发明专利]等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法

摘要

本发明涉及一种等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法。本发明材料局域生长装置包括真空反应室、等离子体电源、两个水电极、两个绝缘体边框以及一到两个材料生长基片。通过在两水电极之间设置绝缘体边框，用来定义放电气隙厚度和放电区域，通过更换绝缘体边框，可调节放电气隙厚度或改变放电面积，在向真空反应室注入放电气体和化学气相沉积所需气体后，接通等离子体电源，在两放电气隙内放电形成等离子体柱，在材料生长基片上即可形成薄膜材料的局域生长。本发明通过两个放电气隙的构置，可在基片的两面进行材料局域生长，操作简单，方便高效，工效可成倍提高，并可一次生成相同或不同的薄膜材料，在工业方面具有广泛的应用前景。

主权项

一种等离子体气相沉积双面材料局域生长装置，其特征是，包括有：一个真空反应室，在所述真空反应室的壁体上开有进气口和抽气口，通过所述进气口向所述真空反应室内注入放电气体和化学气相沉积所需气体，通过所述抽气口向外抽出气体，以控制所述真空反应室中的气压大小；两个水电极，安装在所述真空反应室中，两个所述水电极端部的放电介质板的板面相对，并且两个所述水电极的轴心线在一条直线上；等离子体电源，设置在所述真空反应室的外部，与两个所述水电极分别电连接，以控制所述水电极通过放电产生等离子体；两个绝缘体边框，夹持在两个所述水电极的放电介质板之间，用于设定放电气隙的厚度和放电面积的大小；以及材料生长基片，夹持在两个所述绝缘体边框之间，通过等离子体激活气体产生化学气相沉积，在所述材料生长基片的表面生成薄膜材料。