[发明专利]低损伤、高致密性膜的制备方法以及具有该膜的LED芯片有效
| 申请号： | 201310336854.2 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103390703A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 魏天使;刘撰;陈立人;余长治;李忠武 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损伤、高致密性膜的制备方法及具有该膜的LED芯片，包括：a）、在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；b）、向反应腔体中通入N2O气体，然后向反应腔体中通入硅烷气体，预热基片沉积得到厚度为1-50nm的二氧化硅膜；c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体；d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50-2000nm，最终沉积得到低损伤、高致密性膜；本发明有效提高了LED芯片的出光量，同时还有效避免了LED芯片发生漏电，且不会影响LED芯片外观和电学性能，本发明制备得到的低损伤、高致密性膜可同时作为LED芯片的电流阻挡层和绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 致密 制备 方法 以及 具有 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种低损伤、高致密性膜的制备方法，其特征在于，包括：a）、将基片置于PECVD沉积仪中经抽真空处理的反应腔体中，在设定的预热温度下对基片进行预热，得到预热基片；b）、将反应腔体保持在该预热温度，向反应腔体中通入N2O气体，反应腔体形成负氧离子氛围，然后向反应腔体中通入硅烷气体，所述的硅烷气体在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应，所述的预热基片沉积得到厚度为1‑50nm的二氧化硅膜；c）、对反应腔体进行抽真空处理，向反应腔体中通入N2O气体，将上述步骤b）得到的二氧化硅膜中的硅离子充分氧化；d）、重复执行步骤b）和步骤c），直至二氧化硅膜的厚度达到50‑2000nm；e）、在预热基片上沉积得到低损伤、高致密性膜。
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