[发明专利]一种用于湿法腐蚀晶片的装置在审
| 申请号： | 201310335757.1 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104347387A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁;徐振宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于湿法腐蚀晶片的装置，包括：底部支撑结构，用于支撑所述晶片；与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。本发明使得腐蚀液能够与晶片边缘充分接触，同时增加了腐蚀液体的流动性，提高了腐蚀后晶片边缘与中间的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 湿法 腐蚀 晶片 装置 | ||
【主权项】：
一种用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，包括：底部支撑结构，用于支撑所述晶片；与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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