[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310334667.0 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103682017A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朴海进;金敬训;金东河;李光七;金在勋;尹欢喜 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了发光器件。所公开的发光器件包括：衬底；设置在衬底上的发光半导体结构；以及介于发光半导体结构和衬底之间的中间层。紫外(UV)发光半导体结构包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；以及介于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，其中有源层具有多量子阱结构，该多量子阱结构包括含有AlxGa(1-x)N(0＜x＜1)的量子势垒层和含有AlyGa(1-y)N(0＜x＜y＜1)的量子阱层的成对结构的至少一个周期，并且第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个包含AlGaN。中间层包含AlN并且具有形成在AlN中的多个气隙。气隙中的至少一些是不规则排列的，并且气隙的数目为107/cm2至1010/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的发光半导体结构；以及介于所述发光半导体结构和所述衬底之间的中间层，其中：所述发光半导体结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，其中所述有源层具有多量子阱结构，所述多量子阱结构包括含有AlxGa(1‑x)N(0＜x＜1)的量子势垒层和含有AlyGa(1‑y)N(0＜x＜y＜1)的量子阱层的成对结构的至少一个周期，并且所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层中的至少一个包含AlGaN；以及所述中间层包含AlN并且具有形成在所述AlN中的多个气隙，其中所述气隙中的至少一些是不规则排列的，并且所述气隙的数目为107/cm2至1010/cm2。
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