[发明专利]多晶硅层的制造方法和有机发光显示设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201310334567.8 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103854975B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 文相皓;许宗茂;金成虎 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L27/32;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张云珠;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅（poly‑Si）层的制造方法和利用该方法制造有机发光显示设备的方法以及通过利用所述方法制造的有机发光显示设备。该方法包括：在具有第一区域和第二区域的基底上形成非晶硅（a‑Si）层，对a‑Si层进行热处理以使a‑Si层部分地结晶为部分结晶Si层，去除因热处理而导致的热氧化物层，用激光束选择性地照射第一区域使部分结晶Si层结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 有机 发光 显示 设备 及其 | ||
【主权项】：
1.一种制造多晶硅层的方法，所述方法包括：在基底上形成非晶硅层，基底具有多个第一区域和多个第二区域，其中，所述多个第一区域和所述多个第二区域彼此交替并分开；对非晶硅层进行热处理，以将与第一区域和第二区域对应的非晶硅层转变为部分结晶Si层；去除由于对非晶硅层进行热处理而形成的热氧化物层；用激光束选择性地照射第一区域，使与第一区域对应的部分结晶Si层结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
