[发明专利]一种MOSFET并联电路布局有效
| 申请号： | 201310326544.2 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103582408A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;佟炳然 | 申请（专利权）人： | 刘杰;佟炳然 |
| 主分类号： | H05K13/04 | 分类号： | H05K13/04 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET并联电路布局，具体的说是一种基于单层铝基板的功率MOSFET三相并联电路，主要用于电机驱动系统，这种电路基于单层铝基板的三相MOSFET并联电路，包括：在单层铝基板上，由下至上分成3个区域，分别是U、V、W相区域，每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成，整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组，每一排模组中包括n个MOSFET。本发明这种电路布局是在传统铝基板上，通过专门设计的电路布局，可以以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热均衡性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 并联 电路 布局 | ||
【主权项】：
一种MOSFET并联电路布局，其特征在于包括：在单层铝基板上，由下至上分成3个区域分别是U、V、W相区域，每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成；整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组，每一排模组中包括n个MOSFET，其中n≥1；6排并联MOSFET模组将单层铝基板分成7个电流汇流区，从下至上分别为U相下管源极汇流区、U相上管源极与U相下管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区35、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相与V相下管源极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管漏极汇流区；在W相上管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区分别布置有正极电流输入接口，在U相下管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区分别布置有负极电流输出接口；在U相上管源极与U相下管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区分别布置有交流输出接口。
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