[发明专利]一种低阶扭转模态电磁声阵列传感器有效

专利信息
申请号: 201310322976.6 申请日: 2013-07-29
公开(公告)号: CN103439418A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 何存富;胡跃刚;焦敬品;吴斌 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N29/34 分类号: G01N29/34
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种低阶扭转模态电磁声阵列传感器,其特征在于:包括多个PPM电磁声传感器,其中每个PPM电磁声传感器包括铷铁硼磁铁阵列(A)和柔性印刷电路板中至少一层跑道型线圈(B),多个PPM电磁声传感器均布环管结构一周;铷铁硼磁铁阵列(A)中相邻磁铁产生方向相反的静磁场,每一块磁铁的宽度等于激励频率下T(0,1)模态波长的一半,形状相同,均为条形弧状,多块磁铁紧密放置在一起形成一个瓦块形;铷铁硼磁铁阵列(A)的中心与跑道型线圈(B)的中心重合;多个跑道型线圈(B)集中在一个柔性印刷电路板(D)上,各个跑道型线圈(B)连接方式为并联。本发明可有效的激励和接收T(0,1)模态超声导波,在传感器安装时,不需要对管道表面进行处理,结果准确度高,可重复性好,检测过程方便快捷。
搜索关键词: 一种 低阶 扭转 电磁 阵列 传感器
【主权项】:
一种低阶扭转模态电磁声阵列传感器,其特征在于:包括多个PPM电磁声传感器,其中每个PPM电磁声传感器包括铷铁硼磁铁阵列(A)和柔性印刷电路板中至少一层跑道型线圈(B),多个PPM电磁声传感器均布环管结构一周;铷铁硼磁铁阵列(A)中相邻磁铁产生方向相反的静磁场,每一块磁铁的宽度等于激励频率下T(0,1)模态波长的一半,形状相同,均为条形弧状,多块磁铁紧密放置在一起形成一个瓦块形;铷铁硼磁铁阵列(A)的中心与跑道型线圈(B)的中心重合;多个PPM电磁声传感器中,各个铷铁硼磁铁阵列(A)一样;多个跑道型线圈(B)集中在一个柔性印刷电路板(D)上,各个跑道型线圈(B)连接方式为并联。
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