[发明专利]一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310322676.8 申请日: 2013-07-29
公开(公告)号: CN103545013A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 刘细莲;丁冰冰;马进 申请(专利权)人: 广州市儒兴科技开发有限公司;无锡市儒兴科技开发有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 510663 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆,该浆料由以下质量份配比的原料制成:70-78份的铝粉,0.05-3份的无机粘合剂,17-27份的有机粘合剂,1-5份的添加剂。本发明还公开了上述局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆的制备方法。相比于传统铝浆,本发明产品专门应用于局部铝背场晶体硅太阳电池,具有流动性好、对钝化膜破坏较小、与窗口接触好、铝膜致密均匀等优点。本发明产品应用于局部铝背场单晶硅太阳电池上的量产平均转换效率≥20.0%,将电池片层压封装后,经EVA撕拉测试,测得铝背场附着拉力≥10N。
搜索关键词: 一种 局部 铝背场 晶体 太阳电池 专用 及其 制备 方法
【主权项】:
一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆,其特征在于:由以下质量份配比的原料制成:70‑80份的铝粉,0.05‑3份的无机粘合剂,20‑30份的有机粘合剂,1‑5份的添加剂。
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