[发明专利]一种高亮度GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310316633.9 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367577A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李晓莹;康建;郑远志;陈向东;徐琦 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高亮度GaN基发光二极管外延片，包括衬底、衬底上表面上方设置一非掺杂GaN层，非掺杂GaN层上表面上方依次设置一N型GaN复合层、有源层和P型GaN复合层，在非掺杂GaN层和N型GaN复合层之间进一步设置一极性转换层，所述极性转换层的材料为Mg元素掺杂浓度为1×1020～5×1020cm-3的P型GaN。本发明的优点在于是一项低成本、简单可控和与传统LED工艺相兼容的N型GaN层表面粗化技术。本发明提出了采用高掺杂P型GaN作为极性转换层，使后面的表面粗化和工艺是在N面实施的，速度更快，效果更好，粗化的表面对DBR的要求也相应降低，因此可以很容易实现界面粗化和高反射率，从而达到上文所述提高GaN基LED光提取效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度GaN基发光二极管外延片，包括衬底、衬底上表面上方设置一非掺杂GaN层，非掺杂GaN层上表面上方依次设置一N型GaN复合层、有源层和P型GaN复合层，其特征在于，在非掺杂GaN层和N型GaN复合层之间进一步设置一极性转换层，所述极性转换层的材料为Mg元素掺杂浓度为1×1020～5×1020cm‑3的P型GaN。
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