[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310314310.6 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104051256A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 宋述仁;苏怡年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成蚀刻停止层。蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比。所述方法包括在所述蚀刻停止层上方形成绝缘材料层；以及将所述蚀刻停止层用作为蚀刻停止对绝缘材料层进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件上方形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比；在所述蚀刻停止层上方形成绝缘材料层；以及将所述蚀刻停止层用作为蚀刻停止对所述绝缘材料层进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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