[发明专利]电容式硅麦克风的制备方法

摘要

本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，包括：提供一衬底，其上设有一电路区域，电路区域至少包括垂直分布的一钝化层、一器件组和一介质层，钝化层为电路区域表面层，介质层设置于钝化层下方，器件组埋设于钝化层底部，其包括第一器件和第二器件；在电路区域沉积一牺牲层；对牺牲层图案化以定义出空气隙区域；在电路区域之上沉积一金属层，并使金属层与第二器件相连；以图案化方法形成至少一释放孔，释放孔贯通金属层；以金属层为掩膜，刻蚀牺牲层、钝化层与介质层形成与释放孔位置一一对应的通气孔；对电路区域进行刻蚀，去除牺牲层以形成空气隙，并继续刻蚀至衬底中以形成气腔。其工艺流程简单，生产成本低。

主权项

1.一种电容式硅麦克风的制备方法，所述电容式硅麦克风至少包括一空气隙和一气腔，该方法包括如下步骤：a)、提供一衬底，所述衬底上设有一电路区域，用于制作所述硅麦克风电路，所述电路区域至少包括垂直分布的一钝化层、一器件组和一介质层，所述钝化层为所述电路区域表面层，所述介质层设置于所述钝化层下方，所述器件组埋设于所述钝化层底部，其包括第一器件和第二器件；b)、在所述电路区域沉积一牺牲层；c)、对所述牺牲层图案化以定义出空气隙区域；d)、在所述电路区域之上沉积一金属层，并使所述金属层与所述第二器件相连；在所述金属层之上沉积一第二介质层，包覆所述金属层的顶面及侧面；以及图案化所述第二介质层以形成一包覆所述金属层顶面与侧面相交处、并向所述顶面中心、所述侧面底端分别延伸一定距离的固接体；e)、以图案化方法形成至少一释放孔，所述释放孔贯通所述金属层；f)、以所述金属层为掩膜，刻蚀所述牺牲层、钝化层与介质层形成与所述释放孔位置一一对应的通气孔，用于连通所述空气隙与气腔；g)、对所述电路区域进行刻蚀，去除所述牺牲层以形成所述空气隙，并继续刻蚀至所述衬底中以形成所述气腔；其中，所述第一器件为所述硅麦克风的电容第一极，所述金属层为所述硅麦克风的电容第二极。