[发明专利]钛基纳米二氧化铅的制备方法有效
| 申请号： | 201310311974.7 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103343370A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 韩卫清;孙云龙;衷从强;关莹;王连军;孙秀云;李健生;沈锦优 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C25D5/38 | 分类号： | C25D5/38;C25D3/34;C25D3/44;C25D11/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钛基纳米二氧化铅的制备方法，属于无机纳米材料合成领域。具体步骤为：将钛片表面打磨光滑，采用电沉积的方法在有机溶液中制备钛基铝膜，电镀溶液采用AlCl3-LiAlH4体系的非水溶液，溶剂采用四氢呋喃和苯。然后采用两步阳极氧化法在草酸溶液中制备钛基AAO模板，通过一定质量分数的磷酸溶液去除阻挡层，使得孔道扩充到达钛基板上。最后采用电沉积的方法将PbO2纳米粒子沉积到AAO模板中，用一定质量分数的氢氧化钠溶液除去剩余的铝膜，得到钛基纳米二氧化铅。本发明设备要求较低，成本低，可应用于气敏传感器，电化学电极和光电器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 二氧化铅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛基纳米二氧化铅的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤：（1）采用电沉积法制备钛基铝膜；（2）采用两步阳极氧化法制备钛基AAO模板；（3）采用电沉积法制备钛基纳米二氧化铅。
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