[发明专利]用于多晶硅层的失效点定位的方法有效
| 申请号： | 201310309536.7 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332420B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 何明;郭炜;王潇;李爱民;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768;G03F1/44 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多晶硅层的失效点定位的方法，包括提供样品；将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层；对所述样品的表面进行清洁处理；利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位。本发明由于保留了一定厚度的多晶硅层上的层间介质层，所以避免了对多晶硅层的损伤；由于采用了超声波震荡方法在离子水中对样品表面进行清洁，所以避免了清洁过程中对样品表面的损伤；由于采用了较大的一次电子束的加速电压进行电势对比观测，所以能够快速的定位多晶硅层的失效点。本发明的方法适用于大尺寸多晶硅阵列的失效点定位，可快速地在扫描结果中准确地找到失效点的位置，节省了芯片失效分析的时间，提高了分析效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅层的失效点定位的方法，其特征在于，包括：提供样品；将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层，保留于所述多晶硅层上的层间介质层的厚度为0.1～0.3μm；对所述样品的表面进行清洁处理；利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位；其中，电势对比定位法中的一次电子束的加速电压为5～8KV，所述样品中包含有尺寸大于8μm×8μm的多晶硅阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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