[发明专利]薄膜晶体管与显示阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310306632.6 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN104124278B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 王明宗;柳智忠;郑亦秀;余文强 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/41;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 代理人: 叶小勤
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种薄膜晶体管的制作方法,包括在一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上对应栅极的位置依次形成半导体层、欧姆接触材料层及金属层;图案化金属层,在欧姆接触材料层上形成源极与漏极,源极与漏极之间形成一开口,且自开口处仅曝露出欧姆接触材料层;形成至少一绝缘材料层以覆盖形成有该开口、该源极与漏极的基板;图案化该至少一绝缘材料层,去除对应该开口处的该绝缘材料层与该欧姆接触材料层,形成欧姆接触层,并曝露出半导体层,从而形成一半导体沟道,以及去除对应该漏极处的该至少一绝缘材料层,并曝露出部分该漏极,从而形成一连接孔。还提供一种具有该薄膜晶体管的显示阵列基板的制作方法。
搜索关键词: 薄膜晶体管 显示 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该制作方法包括:在一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层;在该栅极绝缘层上对应栅极的位置依次形成半导体层、欧姆接触材料层及一金属层,该半导体层与该欧姆接触材料层层叠设置;图案化该金属层,从而在该欧姆接触材料层上形成源极与漏极,在该源极与漏极之间形成一开口,且自该开口处仅曝露出该欧姆接触材料层;形成至少一绝缘材料层以覆盖形成有该开口、该源极与漏极的基板;图案化该至少一绝缘材料层,去除对应该开口处的该绝缘材料层与该欧姆接触材料层,形成欧姆接触层,并曝露出该半导体层,从而形成一半导体沟道,以及去除对应该漏极处的该至少一绝缘材料层,并曝露出部分该漏极,从而形成一连接孔。
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