[发明专利]多电平反熔丝存储器装置及其操作方法有效
申请号: | 201310306175.0 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN103578559B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 张敏洙;徐宁焄;李燦勇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了多电平反熔丝存储器装置及其操作方法。本发明提供了一种反熔丝存储器装置,该反熔丝存储器装置包括反熔丝存储器单元、基准电流产生部件和比较部件。反熔丝存储器单元包括反熔丝。基准电流产生部件提供从多个基准电流中选择的基准电流。比较部件将流过反熔丝的单元电流的强度与基准电流的强度比较并且提供与比较结果对应的输出信号。 | ||
搜索关键词: | 基准电流 反熔丝存储器 存储器装置 比较部件 产生部件 反熔丝 熔丝 单元电流 强度比较 输出信号 | ||
【主权项】:
1.一种反熔丝存储器装置,包括:反熔丝存储器单元,所述反熔丝存储器单元包括反熔丝和被连接到所述反熔丝的单元晶体管;基准电流产生部件,所述基准电流产生部件包括分别与所述反熔丝和所述单元晶体管对应的基准电阻部件和复制单元晶体管,所述复制单元晶体管被连接到所述基准电阻部件并且具有与所述单元晶体管相同的电特性;以及,所述基准电流产生部件被构造为提供基准电流,所述基准电流是根据所述基准电阻部件的电阻值而确定的;以及比较部件,所述比较部件被构造为:将流过所述反熔丝的单元电流的强度与所述基准电流的强度比较,并且提供与比较结果对应的输出信号;其中基于所述比较结果的输出,所述反熔丝存储器装置向所述反熔丝施加逐渐增大的破坏电压,直到所述单元电流大于所述基准电流、所述反熔丝的电阻值对应于要被编程到所述反熔丝存储器单元的期望数据。
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