[发明专利]一种GaN 外延工艺方法有效
| 申请号： | 201310304608.9 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104294354B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延工艺方法，该方法包括以下步骤：1）在硅衬底上生长Si(1‑x‑y)GexCy缓冲层；2）逐步降低Si(1‑x‑y)GexCy缓冲层中Ge的含量，直至为0，从而生长出Si(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层；3）在Si(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层上生长SiC缓冲层；4）在SiC缓冲层上进行GaN外延生长，形成GaN外延层。本发明利用晶格常数逐渐变化的缓冲层来生长高质量的GaN外延层，该方法能防止GaN缺陷，提高GaN外延的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN外延工艺方法，其特征为，该方法包括以下步骤：1)在硅衬底上生长Si(1‑x‑y)GexCy缓冲层；所述硅衬底的表面晶向为(111)，所述Si(1‑x‑y)GexCy缓冲层中满足：8.2％≤x/y≤10.7％，且其厚度为1‑100nm；2)逐步降低Si(1‑x‑y)GexCy缓冲层中Ge的含量，直至为0，从而生长出Si(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层；3)在Si(1‑x‑y)GexCy和SiC缓冲层上生长SiC缓冲层；4)在SiC缓冲层上进行GaN外延生长，形成GaN外延层。
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