[发明专利]带内隧道FET有效
| 申请号： | 201310303452.2 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104051528B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 戈本·多恩伯斯;克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及带内隧道FET，其具有能够提供高驱动电流的对称FET。在一些实施例中，所公开的带内隧道FET具有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区。源极区和漏极区通过沟道区间隔开。栅极区可以生成改变沟道区中的价带和/或导带的位置的电场。通过控制沟道区的价带和/或导带的位置，可以控制电荷载流子在源极区中和漏极区中的导带之间或者源极区中和漏极区中的价带之间的量子力学隧穿。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 fet | ||
【主权项】：
一种带内隧道场效应晶体管(TFET)器件，包括：源极区，通过沟道区与漏极区间隔开，其中，所述源极区、所述漏极区和所述沟道区具有能带，所述能带在所述源极区和所述漏极区之间的导带内形成第一单能量势垒，并且在所述源极区和所述漏极区之间的价带内形成第二单能量势垒，其中，所述第一单能量势垒具有不同于所述第二单能量势垒的价带偏移量的导带偏移量；以及栅极区，被配置成生成改变所述能量势垒的电场，以选择性地允许导带内的电子的量子力学隧穿，或者选择性地允许价带内的空穴的量子力学隧穿。
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