[发明专利]一种湿法刻蚀设备及工艺有效
| 申请号： | 201310298407.2 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103346109A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈玮光 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀设备，包括刻蚀槽和多个用于支撑待刻蚀硅片的滚轴，多个所述滚轴平行设置于所述刻蚀槽内，且通过若干支架支撑，所述支架与所述滚轴垂直设置；所述滚轴至少分为两段，在其接合处中的一处设置有支架，且该支架高于其余支架。如上设计，待刻蚀硅片与刻蚀液液面之间存在预定夹角，刻蚀过程中，可以利用刻蚀液的液面张力使刻蚀液粘附至待刻蚀硅片的背面和侧面，整体上增大了待刻蚀硅片背面与刻蚀液液面之间的距离，从而刻蚀液不容易爬升至待刻蚀硅片的正面，进而减小刻蚀边，提高太阳能电池的有效受光面积，增大发电量。此外，本发明还公开了一种湿法刻蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 工艺 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀设备，包括刻蚀槽和多个用于支撑待刻蚀硅片的滚轴，多个所述滚轴平行设置于所述刻蚀槽内，且通过若干支架支撑，所述支架与所述滚轴垂直设置；其特征在于，所述滚轴至少分为两段，在其接合处中的一处设置有支架，且该支架高于其余支架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
