[发明专利]一种微波大功率管外壳的制造方法在审
申请号: | 201310295473.4 | 申请日: | 2013-07-15 |
公开(公告)号: | CN103441077A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 杨建;胡进;陈宇宁;程凯;王子良 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种微波大功率管外壳的制造方法,利用现有商品化的钨铜、钼铜或其他铜基复合材料双面覆盖铜箔片,在外壳半成品的钎焊过程中同步形成三明治结构的铜基复合材料“Cu-Laminate”热沉。优点:保证了钎焊后的外壳处于强度安全的应力状态,同时热导率比单独使用芯层合金至少提高10%。按照本发明所述工艺路线和方法制作的外壳,其散热能力、气密性和长期可靠性能够满足高功率密度微波大功率器件的封装需求。由于形成“Cu-Laminate”热沉所使用的芯层材料为成熟的商品化的钨铜、钼铜材料,因此,更具成本优势并能大幅度降低材料采购风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 功率管 外壳 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种微波大功率管外壳的制造方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:1)准备金属零件,包括可伐封接环,可伐引线,钨铜WCu15片,无氧铜箔片;2)对上述金属零件进行常规的清洗、退火和镀镍处理后待用;3)按照常规HTCC多层陶瓷工艺制作尺寸为1.2mm×21.7mm×9.8mm壁厚为2.0mm的95%氧化铝陶瓷框;4)对95%氧化铝陶瓷框进行镀镍后待用;5)将上述步骤2金属零件和上述步骤4的陶瓷零件按照附图结构,通过使用AgCu28钎焊料在810℃~830℃钎焊为微波大功率管外壳半成品(B);其中,外壳热沉部分由WCu15片作为芯层,其上下表面覆盖无氧铜箔片构成;6)微波大功率管外壳半成品(B)经过常规的电镀镍金工序制作成为微波大功率管外壳成品,经过测试和筛选后,用于封装硅LDMOS功率管和GaN功率管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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