[发明专利]一种单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收方法与装置有效

专利信息
申请号: 201310294213.5 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN103373716A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 周智勇;韩一松;翟晖;谭芳;顾燕新 申请(专利权)人: 杭州杭氧股份有限公司
主分类号: C01B23/00 分类号: C01B23/00;C01B21/04
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 311241 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收方法与装置,所述方法含有以下几个步骤:将单晶硅炉排放的粗氩气汇集后进行压缩除油处理,采用催化氧化法除去一氧化碳与烷烃,采用加氢除氧法除去氧,采用吸附法除去二氧化碳及水分,采用高低压双塔低温精馏法除去氮与氢,最终得到纯净压缩氩气可直接送回单晶硅炉重新利用;所述的装置包括:对单晶硅炉排放的粗氩气进行粗油过滤的粗氩气收集预处理系统,进行精密油过滤的压缩除油系统,除去一氧化碳、烷烃与氧组分的催化反应系统,除去二氧化碳和水分的粗氩气纯化系统,除去氮和氢组分的低温精馏系统,为低温精馏系统制取氮气提供原料空气来源的空气处理系统,以及对整套装置进行控制的自动控制系统。该方法和装置能实现单晶硅产业中大量保护氩气的回收和循环使用。
搜索关键词: 一种 单晶硅 制备 工艺 排放 净化 回收 方法 装置
【主权项】:
一种单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收方法,该方法含有以下几个步骤:a) 将单晶硅炉排放的粗氩气汇集后进行压缩除油处理,b) 采用催化氧化的方法除去粗氩气中的一氧化碳与烷烃,c) 采用加氢除氧的方法除去粗氩气中的氧,d) 采用吸附法分别除去粗氩气和空气中的二氧化碳及水分,e) 采用高、低压双塔低温精馏法分别制取纯氮气与高纯氩气。
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