[发明专利]高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路

摘要

本发明公开了一种高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路，包括高压倍压电路和低压倍压电路，所述的高压倍压电路包括第一电解电容、变压器原边的一次绕组、变压器原边的二次绕组、第一二极管以及第一MOS管，直流高压端的正端与所述的变压器原边的一次绕组、二次绕组的异名端连接；所述的低压倍压电路包括变压器的副边绕组、第二MOS管、第三MOS管、PNP三极管、第二电解电容以及储能电感，直流低压端的正端与所述的第二电解电容的正端连接。本发明适用于需要在两个直流电系统之间双向能量交换的场合，通过电路中的高低压MOS管的PWM频率、脉宽控制，使DC/DC的能量能够相互传递交换。

主权项

高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路，包括高压倍压电路和低压倍压电路，其特征在于：所述的高压倍压电路包括一具有高压场效应MOS管的第一驱动电路和消磁电路，所述的第一驱动电路包括变压器原边的一次绕组、变压器原边的二次绕组、第一二极管以及第一MOS管，直流高压端的正端与所述的变压器原边的一次绕组、二次绕组的异名端连接；所述的一次绕组的另一端与第一二极管的阳极连接，所述的第一二极管的阴极与第一MOS管的漏极连接，所述的第一MOS管的栅极与PWM信号相连，所述的第一MOS管的栅极与源极间并联有第一电阻和第二电容；变压器原边的二次绕组的同名端与所述的消磁电路连接；所述的消磁电路的一端与所述的第一MOS管的源极相互连接后接地；所述的低压倍压电路包括具有低压场效应MOS管的第二驱动电路和储能元件，所述的第二驱动电路包括变压器的副边绕组、第二MOS管、第三MOS管、PNP三极管，直流低压端的正端与所述的变压器的副边绕组的同名端连接，所述的变压器副边绕组的同名端分别与第三MOS管的漏极和储能元件连接，副边绕组的另一端与所述的第二MOS管的源极连接，所述的第二MOS管的栅极与第三电阻以及第三电容串联，此串联电路与副边绕组的同名端连接；所述的第二MOS管的漏极和源极间并联有串联的第四电阻和第四电容；所述的第三MOS管的栅极与第六电阻的一端相连，所述的第六电阻的另一端与所述的PNP三极管的基极相连，所述的PNP三极管的集电极 与第五电阻的一端连接并与PWM信号连接，所述的第五电阻的另一端接地；所述的PNP三极管的发射极与第二MOS管的漏极连接；所述的储能元件的一端与第三MOS管的漏极连接；所述的第三MOS管的源极和第二MOS管的漏极相连接，并通过连接第七电阻后接地；当第一MOS管处于导通状态时，能量经由第三MOS管储存于储能元件中；当第一MOS管处于关闭状态、第三MOS管处于导通状态时，能量经由变压器升压传递到直流高压端。