[发明专利]一种深水复合结构声学基阵及基于该基阵的透声方法有效
申请号: | 201310293923.6 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104284272B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 刘永平;张运强;莫喜平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院声学研究所 |
主分类号: | H04R1/44 | 分类号: | H04R1/44 |
代理公司: | 北京法思腾知识产权代理有限公司11318 | 代理人: | 杨小蓉,杨青 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种深水复合结构声学基阵及基于该基阵的透声方法,所述声学基阵包含轴对称圆柱壳体,该轴对称壳体由上壳体6和下壳体5组成;隔震去耦层4,设置于轴对称圆柱壳体的内腔底面上;前辐射板2,位于隔震去耦层4的上层,且与基元1固定相连;其中,所述基元1的顶端与轴对称圆柱壳体的上表面相距一定距离;所述轴对称圆柱壳体的底面为金属表面。本发明优点在于,在保证声学基阵基本的性能前提下,可以大大提高声学基阵的可靠性和使用寿命,可以提高基阵的发射功率容量,可以提高基阵的耐静水压能力,使得基阵能工作在深水环境。本发明设计的声学基阵在工程实际中具有较大的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 深水 复合 结构 声学 基于 方法 | ||
【主权项】:
一种深水复合结构声学基阵,其特征在于,所述声学基阵包含:轴对称圆柱壳体,该轴对称壳体包含上壳体(6)和下壳体(5);隔震去耦层(4),设置于轴对称圆柱壳体的内腔底面上;前辐射板(2),位于隔震去耦层(4)的上层,且与基元(1)固定相连;其中,所述基元(1)的顶端与轴对称圆柱壳体的上表面相距一定距离;所述轴对称圆柱壳体的底面为金属表面。
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