[发明专利]金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法有效
| 申请号： | 201310289616.0 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103342337A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马文会;李绍元;周阳;魏奎先;谢克强;伍继君;秦博;刘大春;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法，属于半导体材料技术领域。将硅片预处理，再进行表面氧化处理，然后置于腐蚀液中静置，随后将其置于硝酸溶液中浸泡，再用大量去离子水冲洗后以氮气吹干，即得到介孔硅纳米线。与一般致密硅纳米相比，本发明制备得到的介孔硅纳米线中含有大量直径分布在2～50nm的小孔，且介孔硅纳米线保持一定的单晶特性；这使其具有更巨大的比表面积且表现一些独特的光学、电学特性，这使得介孔硅纳米线在纳米传感器、光学器件、纳米催化等领域中展现出巨大的运用前景。 | ||
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【主权项】：
一种金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法，其特征在于经过下列各步骤：（1）硅片预处理：将硅片依次用丙酮、甲苯、乙醇、去离子水超声清洗1～30分钟；（2）硅片表面的氧化处理：将步骤（1）预处理后的硅片进行表面氧化处理形成氧化层；（3）腐蚀液的配制：将金属离子催化剂、质量浓度为1%～50%的氢氟酸、氧化试剂按体积比为（0.01～5）:（0.01～10）:（0～10）混合得到腐蚀液；（4）介孔硅纳米的制备：将步骤（2）经表面氧化处理的硅片置于步骤（3）所得腐蚀液中，在15～90℃下静置1～600min后取出硅片，随后将其置于质量浓度为25～98%的硝酸溶液中浸泡1～60min后取出，再用大量去离子水冲洗后以氮气吹干，即得到介孔硅纳米线。
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