[发明专利]铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺，包括玻璃衬底、Mo氧化层、内层Mo薄膜和外层Mo薄膜，所述的Mo氧化层贴合在玻璃衬底上，所述的内层Mo薄膜贴合在Mo氧化层上，所述的外层Mo薄膜贴合在内层Mo薄膜上，通过洗涤、制备Mo氧化层、制备内层Mo薄膜和制备外层Mo薄膜四个步骤来制备。本发明具有鱼鳞状结构，很适合CIGS吸收层生长，对玻璃的附着力极好，无针孔现象，使用百格法测试，无脱落，另外方块电阻最低可达0.16Ω，完全符合作为背电极的电阻要求。

主权项

一种铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜，其特征在于：包括玻璃衬底、Mo氧化层、Mo薄膜内层和Mo薄膜外层，所述的Mo氧化层贴合在玻璃衬底上，所述的Mo薄膜内层贴合在Mo氧化层上，所述的Mo薄膜外层贴合在Mo薄膜内层上。