[发明专利]基于微波的硅的制造方法和微波还原炉有效

专利信息
申请号: 201310287920.1 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103539124A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 永田和宏;金泽幸 申请(专利权)人: 永田和宏;清水电设工业株式会社
主分类号: C01B33/025 分类号: C01B33/025;F27B17/00
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于提供可将二氧化硅快速地还原、可快速地制造硅的基于微波的硅的制造方法和微波还原炉。在耐火物制容器内部,装入由二氧化硅粉末和石墨粉末的混合物或由二氧化硅粉末和碳化硅粉末以及石墨粉末的混合物构成的原料。接着,对该容器内的装入物照射微波。如果这样,则石墨的粉末吸收微波能量而温度上升,然后,二氧化硅和石墨反应,生成碳化硅,并且其温度进一步上升,该升温后的二氧化硅和碳化硅反应。使通过该反应而生成的SiO和碳化硅反应,由此,生成高纯度硅。
搜索关键词: 基于 微波 制造 方法 还原
【主权项】:
一种基于微波的硅的制造方法,其特征在于,该方法包括下述工序:供给工序,在由二氧化硅或碳化硅构成的耐火物制容器内部供给由二氧化硅粉末和石墨粉末的混合物或由二氧化硅粉末和碳化硅粉末以及石墨粉末的混合物构成的原料;照射工序,对上述容器内的上述原料照射微波;排出工序,从上述容器内部排出熔融硅;在上述微波照射工序中,通过上述微波的照射,上述石墨粉末吸收微波能量而温度上升,在升温后,通过上述二氧化硅和碳化硅和/或上述石墨的还原反应生成上述熔融硅。
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