[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310286654.0 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282749A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/285;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括衬底、沟道层、源/漏区、栅介质和栅极，其中：所述沟道层位于所述衬底之上，并在边缘处与所述源/漏区相接；所述栅介质位于所述沟道层之上；所述栅极位于所述栅介质之上；所述栅介质的材料是六方氮化硼；所述沟道层的材料为单原子层硅、双原子层硅或石墨烯。本发明还提供一种制造上述半导体结构的方法。用h-BN替代氧化硅或高k介质作为场效应器件的栅介质层，尤其h-BN与单原子层/双原子层硅、石墨烯接触的界面非常理想，不会有类似Si-SiO2界面的陷阱电荷、固定电荷等缺陷的问题，以h-BN做栅介质可以获得更好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括衬底(100)、沟道层(200)、源／漏区(300)、栅介质(400)和栅极(410)，其中：所述沟道层(200)位于所述衬底(100)之上，并在边缘处与所述源／漏区(300)相接：所述栅介质(400)位于所述沟道层(200)之上；所述栅极(410)位于所述栅介质(400)之上；所述栅介质400的材料是六方氮化硼(h‑BN)；以及所述沟道层(200)的材料为单原子层硅、双原子层硅或石墨烯。
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