[发明专利]氮化镓肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310286442.2 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103346083A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 宋晰 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种GaN肖特基二极管的制造方法：提供一衬底；在衬底上沉积成核层和/或缓冲层；在成核层和/或缓冲层上沉积重掺杂n型GaN层；在重掺杂n型GaN层上沉积轻掺杂n型GaN层，轻掺杂n型GaN层的表面存在有多个p型重度离子掺杂GaN区；在轻掺杂n型GaN层表面上沉积绝缘层或介质层；在绝缘层上定义有肖特基电极区域并开孔；在开孔的肖特基电极区域中沉积与轻掺杂n型GaN层表面相接触的肖特基电极；在衬底上定义有欧姆电极区域，在欧姆电极区域开孔；在开孔的欧姆电极区域中沉积与重掺杂n型GaN层相接触的欧姆电极。本发明的肖特基二极管正向开启电压小，正向可以通过更大电流，反向漏电流小，反向可承受更大的电压和功率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积成核层和/或缓冲层；在所述成核层和/或缓冲层上沉积重掺杂n型GaN层；在所述重掺杂n型GaN层上沉积轻掺杂n型GaN层，所述轻掺杂n型GaN层的表面存在有多个p型重度离子掺杂GaN区；在所述轻掺杂n型GaN层表面上沉积绝缘层或介质层；在所述绝缘层上定义有肖特基电极区域，在所述肖特基电极区域开孔；在所述开孔的肖特基电极区域中沉积与轻掺杂n型GaN层表面相接触的肖特基电极；在所述衬底上定义有欧姆电极区域，在所述欧姆电极区域开孔；在所述开孔的欧姆电极区域中沉积与所述重掺杂n型GaN层相接触的欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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