[发明专利]一种柔性ZnO基薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。

主权项

一种柔性氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于包括：柔性基底、在柔性基底两侧的平坦层、分别在两侧的平坦层外侧的隔绝缓冲层、在一个隔绝缓冲层外侧的栅极、与所述栅极绝缘隔开的源极和漏极，与栅极绝缘且与源极、漏极连接的氧化物半导体沟道层，及将栅极与源漏电极、半导体层绝缘隔开的栅极绝缘层；所述半导体沟道层为n型和p型ZnO，n型成分为ZnO薄膜，p型成分为CuxZn1‑xO薄膜；采用无机溶液旋涂法生成，然后经退火处理制得，厚度7nm~100nm；其中：所述ZnO薄膜由锌氨络离子溶液旋涂法制备获得；CuxZn1‑xO薄膜由铜氨络离子溶液与锌氨络离子溶液按一定比例混合，再经旋转涂布方法制备获得。