[发明专利]一种具有渐变缓冲层太阳能电池有效
| 申请号： | 201310271821.4 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103354250A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李荣仁;林宣乐;李世昌 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一反向变质多接面(IMM)太阳能电池，包括一支持基板；一底电池位于支持基板之上；一渐变缓冲层位于底电池之上；一中间电池位于渐变缓冲层之上；以及一顶电池位于中间电池之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 渐变 缓冲 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一太阳能电池，包括：一底电池；一渐变缓冲层，位于该底电池之上，包括多个渐变附属层，其中该多个渐变附属层不被掺杂碲；以及一中间电池，位于该渐变缓冲层之上，其中该多个渐变附属层包含一三族元素，该三族元素的含量自靠近该支持基板往远离该支持基板的方向递减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
