[发明专利]线性范围放大的包络检测器有效
申请号: | 201310269348.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103684293B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 阿米尔·哈吉-阿卜杜勒哈米德;邱雁琳 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F3/20 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 田喜庆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种线性范围放大的包络检测器(ED),该包络检测器包括电压模式ED芯,所述电压模式ED芯包括用于检测RF信号输入的电压包络的并行检测晶体管。检测晶体管利用尺寸并针对电流进行配置以使晶体管在亚阈值操作区域中偏压。ED芯被配置为通过检测晶体管可变地控制偏置电流,其中,偏置电流根据RF信号输入的电压幅值变化以放大ED的线性范围,同时检测晶体管继续在亚阈值区域中操作。线性化器电路可以被配置为基于来自ED输出的反馈输入来控制偏置电流。可包括末级专用AB类放大器的增益可编程电压放大器位于ED芯之前,以使发射器输出电压适应ED芯的输入范围,从而扩大ED的线性范围。 | ||
搜索关键词: | 线性 范围 放大 包络 检测器 | ||
【主权项】:
一种包络检测器,包括:电压模式包络检测器(ED)芯,包括用于检测射频(RF)信号输入的电压包络的并行检测晶体管;其中,所述检测晶体管被配置为在亚阈值操作区域中被偏压;以及其中,所述包络检测器芯被配置为通过所述检测晶体管可变地控制偏置电流,其中,所述偏置电流根据所述射频信号输入的电压幅值而变化,使得所述检测晶体管继续在所述亚阈值区域中操作,其中,所述检测晶体管包括第一对晶体管和第二对晶体管,所述第一对晶体管通过来自所述射频信号输入的差分输入进行驱动以生成正差分包络检测器输出,所述第二对晶体管被配置为生成负差分包络检测器输出,所述包络检测器芯进一步包括:用于所述第一对晶体管和所述第二对晶体管的电流偏置晶体管,其中,所述电流偏置晶体管的偏置电压确定每一对所述检测晶体管的偏置电流,所述偏置电压根据所述正差分包络检测器输出和所述负差分包络检测器输出来确定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国博通公司,未经美国博通公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310269348.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种玻璃钢结构冷却塔
- 下一篇:模具抽气冷却装置