[发明专利]微制造的热丝真空传感器有效
| 申请号： | 201310268050.3 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103376185A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | L·阿拉纳;Y·L·邹;J·赫克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G01L21/12 | 分类号： | G01L21/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可使用半导体集成电路工艺形成微制造真空传感器。所述传感器可与微制造元件一并形成在外壳内。随后就可使用该传感器测量外壳内的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 真空 传感器 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：微制造真空传感器（10）；将所述真空传感器（10）和集成电路（22）集成到同一衬底（18）中；以及在真空中将所述集成的真空传感器（10）和集成电路（22）密封入外壳（24）内。
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