[发明专利]检测预处理能力的方法有效
| 申请号: | 201310264668.2 | 申请日: | 2013-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN103346102A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
| 发明(设计)人: | 李健;顾梅梅;陈建维;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种检测预处理能力的方法,通过采用工艺机台中的预处理程式进行预处理工艺,并检测半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率,而后计算该半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率差值,比较该差值与设定的反射率标准差值下限的大小,从而完成预处理能力的检测工艺,克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法,导致的由于预处理步骤不能完全去除氧化铜,器件性能降低的问题,也克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法,导致异常只能在可靠性测试阶段才会被发现,而造成一批产品的良率低下,造成巨大的经济损失的问题,进而保证了器件的良好性能,提高了产品的良率,且避免了巨大的经济损失问题的发生。 | ||
| 搜索关键词: | 检测 预处理 能力 方法 | ||
【主权项】:
一种检测预处理能力的方法,其特征在于,包括以下步骤:根据工艺需求设定反射率标准差值下限;提供一具有金属层的半导体结构;氧化部分所述金属层形成金属氧化层,且该金属氧化层覆盖剩余金属层的表面;检测并获取所述半导体结构表面的第一反射率;对所述金属氧化层进行预处理工艺后,再次检测并获取所述半导体结构表面的第二反射率;计算所述第一反射率和所述第二反射率的差值,比较所述差值和所述反射率标准差值下限,当所述差值大于等于所述反射率标准差值下限时,所述预处理能力良好;当所述差值小于所述反射率标准差值下限时,所述预处理能力较差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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