[发明专利]检测预处理能力的方法有效

专利信息
申请号: 201310264668.2 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103346102A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 李健;顾梅梅;陈建维;张旭昇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种检测预处理能力的方法,通过采用工艺机台中的预处理程式进行预处理工艺,并检测半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率,而后计算该半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率差值,比较该差值与设定的反射率标准差值下限的大小,从而完成预处理能力的检测工艺,克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法,导致的由于预处理步骤不能完全去除氧化铜,器件性能降低的问题,也克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法,导致异常只能在可靠性测试阶段才会被发现,而造成一批产品的良率低下,造成巨大的经济损失的问题,进而保证了器件的良好性能,提高了产品的良率,且避免了巨大的经济损失问题的发生。
搜索关键词: 检测 预处理 能力 方法
【主权项】:
一种检测预处理能力的方法,其特征在于,包括以下步骤:根据工艺需求设定反射率标准差值下限;提供一具有金属层的半导体结构;氧化部分所述金属层形成金属氧化层,且该金属氧化层覆盖剩余金属层的表面;检测并获取所述半导体结构表面的第一反射率;对所述金属氧化层进行预处理工艺后,再次检测并获取所述半导体结构表面的第二反射率;计算所述第一反射率和所述第二反射率的差值,比较所述差值和所述反射率标准差值下限,当所述差值大于等于所述反射率标准差值下限时,所述预处理能力良好;当所述差值小于所述反射率标准差值下限时,所述预处理能力较差。
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