[发明专利]TEM样品的制备方法无效
| 申请号： | 201310262908.5 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103308365A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈强;孙蓓瑶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：根据测试之需，设定制样方案；步骤S2：根据所述制样方案将所述样品减薄；步骤S3：对所述减薄后的样品之底部进行U形切；步骤S4：将所述经过U形切的样品旋转90°；步骤S5：在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂；步骤S6：切至目标处进行观测分析；步骤S7：根据所述观测分析结果优化所述制样方案；步骤S8：重复实施步骤S2～S7，直至所制样品符合要求。本发明所述TEM样品的制备方法，可以快速、方便地对按照预定方案制备出的TEM样品进行分析，了解样品的厚度、均匀性、污染程度等各方面情况，辅助调整制样方案，对新结构的TEM样品制备或新TEM样品制备人员的培训具有极大的帮助，推广性强。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法包括：执行步骤S1：根据测试之需，设定制样方案；执行步骤S2：根据所述制样方案将所述样品减薄；执行步骤S3：对所述减薄后的样品之底部进行U形切；执行步骤S4：将所述经过U形切的样品旋转90°；执行步骤S5：在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂；执行步骤S6：切至目标处进行观测分析；执行步骤S7：根据所述观测分析结果优化所述制样方案；执行步骤S8：重复实施步骤S2～S7，直至所制样品符合要求。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310262908.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
