[发明专利]MEMS器件及其制作方法

摘要

一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。

主权项

一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路，所述第二半导衬底包括第一区域和第二区域；在第一半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在部分第一介质层上形成牺牲层；形成覆盖第一介质层和牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底的第一区域与键合层的若干第一通孔，第一通孔暴露出第一金属互连结构的表面；在第一通孔的侧壁和第二半导体衬底表面形成隔离层；在第一通孔中填充导电材料，形成导电插塞，导电插塞的下端与第一金属互连结构相连；在隔离层中形成第二金属互连结构，第二金属互连结构的一端与第二半导体衬底的第一区域相连，第二金属互连结构的另一端与导电插塞的上端相连；形成贯穿第二半导体衬底的第二区域和部分键合层的若干第二通孔，沿第二通孔去除所述第二半导体衬底的第二区域底部的牺牲层，形成空腔，释放出MEMS器件的可动电极。