[发明专利]一种MOS超势垒整流器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS超势垒整流器件，该整流器件设置了沟槽，第二导电类型注入区包裹沟槽，这种结构可替代保护环结构，相比现有技术节省了一次光罩，并且保证了第二导电类型注入区的深度，起到了良好的耐压作用。另外该发明还公开一种制造方法，该制造方法在沟槽形成后注入并利用热处理激活杂质形成第二导电类型注入区，可省去形成保护环时所需要光罩和长时间推阱的过程，节约了成本，又避免了使用大能量的注入对器件表面造成的损伤，而且小能量的注入区的横向扩散距离较小，对沟道区的长度和相邻第二导电类型注入区之间的距离控制较好。

主权项

一种MOS超势垒整流器件，在整流器件的截面上包括一半导体基板，该半导体基板的下部为重掺杂的第一导电类型衬底，半导体基板的上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，所述半导体基板的上表面定义为第一表面，半导体基板的下表面定义为第二表面，其特征在于：所述半导体基板的第一表面边缘覆盖有第一绝缘氧化层；第一绝缘氧化层围成有源区；该有源区内设有若干个沟槽，该沟槽由第一表面延伸进入第一导电类型漂移区；所述第一导电类型漂移区在沟槽的侧沟沿处设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型漂移区上部设有与沟槽数量对应且相互独立的第二导电类型注入区，每个第二导电类型注入区包裹一个沟槽以及对应的第一导电类型注入区；在有源区内处于沟槽之间的所述第一表面上覆盖有第二绝缘氧化层，第二绝缘氧化层上覆盖有第一电极，所述第一电极上面覆盖有第三绝缘氧化层；所述半导体基板第一表面上及沟槽内设置有第一金属，第一金属与第一电极、第一导电类型注入区、第二导电类型注入区欧姆接触；所述半导体第二表面上设置有与第二表面欧姆接触的第二金属。