[发明专利]镧基有机酸蒙脱土及其水相一步法制备工艺无效
| 申请号： | 201310259953.5 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103467777A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 魏忠;宋燕梅;王海娇;王贺云 | 申请（专利权）人： | 石河子大学 |
| 主分类号： | C08K9/04 | 分类号： | C08K9/04;C08K3/34;C08L27/06;C09C1/42;C09C3/08 |
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| 地址： | 832003 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镧基有机酸蒙脱土及其水相一步法制备工艺。本发明镧基有机酸蒙脱土特征在于，其晶体结构为蒙脱土片层结构，层间稀土镧离子的多个离子键，部分与蒙脱土片层结合，其余与长链有机酸的酸性基团结合，采用不同有机酸，得到多种镧基有机酸蒙脱土。制备方法是以钠基蒙脱土、稀土镧无机盐和长链有机酸钠盐为原料，在水相中钠基蒙脱土与稀土无机盐和长链有机酸钠盐反应制得，水相一步法工艺操作简单，安全环保。本发明制备的镧基有机酸蒙脱土，有机酸和稀土镧元素与蒙脱土片层作用力强，热性能稳定，形态均一，有机化含量在20％以上，蒙脱土层间距增大明显。本发明制备的镧基有机酸蒙脱土应用于聚合物纳米复合材料制备、聚合物改性等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 有机酸 蒙脱土 及其 一步法 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种镧基有机酸蒙脱土，其特征在于，其晶体结构为蒙脱土片层结构，层间稀土镧离子的多个离子键，部分与蒙脱土片层结合，其余与长链有机酸盐的酸性基团结合，形成镧基有机酸蒙脱土。以镧基有机酸蒙脱土总重量为基准，蒙脱土含量为50～80％，镧元素含量为5～15％，有机物含量为20～40％。
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