[发明专利]一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法，该器件结构为金属-半导体-金属接触型，从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底，覆盖在基底上的ZnO薄膜，位于ZnO薄膜的中间位置的另一端电极，以及另一端电极四周的ZnO纳米阵列，同时基底为一端电极；另一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。制备方法如下：先利用磁控溅射在基底上生长一层ZnO薄膜；然后在ZnO薄膜上电极并引出一端导线；接着在电极上覆盖PDMS保护层；再通过水热法生长ZnO纳米阵列；最后在样品一侧边缘处刮掉部分ZnO使导电玻璃基底裸露并引出另一端导线，即得所述紫外探测器。本发明具有制作工艺简单、易于操作、成本低廉、器件灵敏度高、性能稳定等优点。

主权项

一种ZnO纳米阵列紫外探测器，其特征在于：该器件结构为金属‑半导体‑金属接触型，从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底，覆盖在所述基底上的ZnO薄膜，位于所述ZnO薄膜中间位置的一端电极，以及所述一端电极四周的ZnO纳米阵列，同时所述基底为另一端电极；其中，所述一端电极为Ag或Pt；一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。