[发明专利]一种用于扩散炉管的晶座有效
申请号: | 201310258702.5 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104253077B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 孟令峰;黄卫佳;张奕顺 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于扩散炉管的晶座,包含互相平行设置的顶座、底座;垂直设置在顶座与底座之间的多个支撑体,各所述支撑体平行间隔设置在顶座和底座的边缘;垂直间隔设置在支撑体上的多个基座。所述基座为片状,其材料为石英。本发明易于控制基座的质量,能有效控制生产的晶圆产品的扩散层厚度,并控制扩散生产过程中晶圆产品的表面颗粒数量,提高产品质量和合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 扩散 炉管 | ||
【主权项】:
一种用于扩散炉管的晶座,晶座是用于支撑晶舟的一个支撑体,其不接触半导体晶圆,在生产半导体晶圆时候,晶座、晶舟和半导体晶圆均设置在扩散炉管内,其特征在于,包含互相平行设置的顶座(1)、底座(2);垂直设置在顶座(1)与底座(2)之间的多个支撑体(3),各所述支撑体(3)平行间隔设置在顶座(1)和底座(2)的边缘;垂直间隔设置在支撑体(3)上的多个基座(4);所述基座(4)为片状,其上表面和下表面均为一个单一的平面,使得酸洗后的表面比较平整,不受外力的摩擦,在扩散过程中脱落石英微粒而导致晶圆表面颗粒增加的几率降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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