[发明专利]氧化锌基溅射靶及其制造方法和薄膜晶体管无效
申请号: | 201310258587.1 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN103510056A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 朴在佑;金东朝;金度贤;全祐奭;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;李伦圭 | 申请(专利权)人: | 三星康宁精密素材株式会社;三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08;H01L21/34;H01L29/786 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;王占杰 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种氧化锌(ZnO)基溅射靶、一种制造该氧化锌基溅射靶的方法和一种具有使用该氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管(TFT)。所述氧化锌基溅射靶包括:烧结物,包括掺杂有氧化镓的氧化锌,氧化镓的含量范围为烧结物的10重量%到50重量%;背板,结合到烧结物的后表面,以支撑烧结物。氧化锌基溅射靶可以经受直流(DC)溅射,并且可以改善使用其沉积的阻挡层的接触特性和蚀刻特性。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 溅射 及其 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种氧化锌基溅射靶,所述氧化锌基溅射靶包括:烧结物,包括掺杂有氧化镓的氧化锌,氧化镓的含量范围为烧结物的10重量%到50重量%;背板,结合到烧结物的后表面,以支撑烧结物。
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