[发明专利]应用于原子力纳米探针测试的样品及其制作方法无效
| 申请号： | 201310258319.X | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103364594A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄维;李剑;唐涌耀 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于原子力纳米探针测试的样品及其制作方法，包括：研磨介质层至露出铝层，去掉所述铝层间部分厚度的介质层，将所述铝层浸入金属活性弱于铝的金属可溶盐溶液中反应，在铝层上形成一层保护膜，最后去除所述保护膜表面的杂质。通过在铝层上置换一层硬度大且导电性好的金属保护膜，从而使样品在原子力纳米探测中不容易被探针刮伤，避免造成人为短路或断路，减少样品测试引入的干扰，提高纳米探针测试的可靠性以及重复性，同时因为省去了掩膜的工艺步骤，降低了测试成本，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 原子 纳米 探针 测试 样品 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种应用于原子力纳米探针测试的样品制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括介质层及位于所述介质层中的多个铝层；研磨所述介质层至露出铝层；去掉所述铝层之间部分厚度的介质层；将所述铝层浸入金属活性弱于铝的金属可溶盐溶液中反应，在铝层上形成一层保护膜；去除所述保护膜表面的杂质。
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