[发明专利]铁电隧道结器件有效

专利信息
申请号: 201310254038.7 申请日: 2013-06-24
公开(公告)号: CN103325942A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 丁修亭
地址: 250022 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中,第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制,实现大的开关比和长久的保持性。
搜索关键词: 隧道 器件
【主权项】:
一种铁电隧道结器件,其特征在于,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成,其中第一电极为P型半导体电极,第二电极为N型半导体电极。
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