[发明专利]一种针对RRAM的快速写验证方法和系统有效
| 申请号： | 201310250101.X | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103337255A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈进才;周西;张涵;周功业 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种针对RRAM的快速写验证方法，包括：创建并初始化查找表，将计数器的值i初始化为0，计数器用来记录一次写操作过程中施加电压脉冲的次数，判断RRAM的存储单元要求写“0”还是写“1”，如果要求写“0”则在RRAM的存储单元两端施加一次反向电压脉冲，其幅值为V_0（i），以改变RRAM存储单元的阻值，并设置计数器i=i+1,读取RRAM存储单元的阻值，并判断该RRAM存储单元阻值是否低于预设的高阻态阻值阈值R_H，如果是，则判断计算器i是否小于最大施加电压脉冲次数N_max，如果不是则表示写操作失败。本发明可使RRAM存储单元的阻值尽可能地快速分布在预设的高阻态或低阻态范围内，因而可容易区分存储单元的高阻态和低阻态，由此保证RRAM读写的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 rram 速写 验证 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种针对RRAM的快速写验证方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）创建并初始化查找表，本步骤具体包括以下子步骤：（1‑1）设定对RRAM的存储单元进行写操作的各个阶段，包括设定最大施加电压脉冲次数N_max，并将N_max划分为m个子范围，即[0，d1]，[c2，d2]...，[cm，N_max]，其中c2，…，cm，均为正整数，d1，d2，...dm‑1均为正整数，每个子范围代表写操作的一个阶段；（1‑2）分别确定写“1”和写“0”操作过程中各个写操作阶段的操作电压幅值V_1（i）和V_0（i）与计数器i的映射关系，对于写“0”操作，V_0（i）={f1（i），...，fm（i）}，且有fn（i）=ani+bn，其中1≤n≤m，fn（i）的取值范围是[V1，0），an和bn的取值需要满足以下两个条件：第一，当1≤j
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