[发明专利]基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310248583.5 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103346168A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 曾祥斌;文西兴;文国知;郑文俊;廖武刚;冯枫;曹陈晨 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic sub 量子 点浮栅 非易失性存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器，其特征在于，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和多个横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点，构成了控制栅氧化层‑SiCx织构‑Si量子点‑SiCx织构‑隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构。
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