[发明专利]基于磁控溅射的多孔陶瓷真空镀贵重金属膜的工艺

摘要

本发明揭示了一种基于磁控溅射的多孔陶瓷真空镀贵重金属膜的工艺，所述工艺包括如下步骤：将多孔陶瓷设置于磁控溅射装置的真空室内；抽出真空室内的气体，当真空室内的真空度小于5×10-2Pa时，向真空室内充入设定浓度的惰性气体；向金属靶通入电流，进行溅射镀膜；金属靶产生的离子在电场的作用下加速飞向多孔陶瓷表面的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向多孔陶瓷表面；氩离子在电场的作用下加速轰击金属靶，溅射出大量的金属靶靶材原子或分子，呈中性的靶原子或分子沉积在多孔陶瓷表面上，形成1～15μm的贵重金属薄膜；向真空室内通入大气或其他设定气体，取出工件。本发明可提高制得多孔陶瓷镀膜的缜密性、均质性。

主权项

一种基于磁控溅射的多孔陶瓷真空镀贵重金属膜的工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：步骤S1、将多孔陶瓷设置于磁控溅射装置的真空室内；步骤S2、利用磁控溅射装置的磁场产生机构产生磁场，使得金属靶产生偏差电流，金属靶作为负极，从而使多孔陶瓷表面带有磁层体；所述金属靶的材料为溅射贵重金属，所述贵重金属为钯银合金，质量百分比钯占75%～78%，银占22%～25%；步骤S3、在金属靶产生偏差电流的同时，对磁控溅射装置的真空室进行加热，温度控制在350℃～800℃；步骤S4、抽出真空室内的气体，当真空室内的真空度小于10‑2Pa时，向真空室内充入设定浓度的氩气；步骤S5、向金属靶通入电流，进行溅射镀膜；金属靶产生的离子在电场的作用下加速飞向多孔陶瓷表面的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向多孔陶瓷表面；氩离子在电场的作用下加速轰击金属靶，溅射出大量的金属靶靶材原子或分子，呈中性的靶原子或分子沉积在多孔陶瓷表面上，形成1～15μm的贵重金属薄膜；其中，在溅射镀膜的过程中还包括氩气浓度检测步骤；实时或者以设定时间间隔检测真空室内的氩气浓度，当氩气浓度低于设定阈值时自动打开氩气充气阀门，向真空室内充入氩气，直至真空室内的氩气浓度符合设定阈值范围；在溅射镀膜的过程中还包括气压检测步骤；实时或者以设定时间间隔检测真空室内的气压，当真空室内的气压不在设定阈值区间，调整真空室内的气压至设定阈值区间；步骤S6、向真空室内通入大气，取出工件。