[发明专利]含Bi热光伏电池的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310244093.8 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103337548A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。本发明还提供这种热光伏电池的制备方法。本发明采用与InP晶格匹配的InGaAsBi作为有源区材料；InGaAsBi覆盖禁带宽度为0.21～0.73eV，可针对特定的辐射源，优化带隙，获得更高的转换效率，能够满足热光伏系统的要求。 | ||
| 搜索关键词： | bi 热光伏 电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含Bi热光伏电池的结构，其特征在于，包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1‑xAs1‑yBiy电池，所述InxGa1‑xAs1‑yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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